DMTH10H2M2LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H2M2LPSWQ-13 Specifications
Grade：
Automotive
Mounting Type：
Surface Mount, Wettable Flank
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Package / Case：
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)：
4W (Ta), 150W (Tc)
Supplier Device Package：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
116 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
153A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6239 pF @ 50 V
