DMTH63M6LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH63M6LPSWQ-13 Specifications
Grade：
Automotive
Mounting Type：
Surface Mount, Wettable Flank
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Package / Case：
8-PowerTDFN
Supplier Device Package：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
105A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2479 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.3W (Ta), 84.7W (Tc)
