ZXMN10B08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10B08E6QTA Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
SOT-23-6
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Supplier Device Package：
SOT-26
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
1.6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
9.2 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
230mOhm @ 1.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
497 pF @ 50 V
