DGD2012S8-13
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
DGD2012S8-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
DigiKey Programmable：
Not Verified
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SO
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Suministro de voltaje：
10V ~ 20V
Tipo de canal：
Independent
Número de conductores：
2
Tipo de entrada：
Non-Inverting
Configuración impulsada：
Half-Bridge
Voltaje lógico - VIL, VIH：
0.8V, 2.5V
Tipo de puerta：
N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap)：
200 V
Tiempo de subida/caída (típico)：
40ns, 20ns
Corriente - Salida máxima (fuente, sumidero)：
1.9A, 2.3A
