DMC3032LFDB-13
MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN
DMC3032LFDB-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
6-UDFN Exposed Pad
Configuración：
N and P-Channel Complementary
Potencia - Máx.：
800mW
Paquete de dispositivo del proveedor：
U-DFN2020-6 (Type B)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
500pF @ 15V, 336pF @ 25V
