DMN3032LQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMN3032LQ-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.1 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
481 pF @ 15 V
