DMP2110UFDB-13
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
DMP2110UFDB-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Paquete / Estuche：
6-UDFN Exposed Pad
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.2A (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
U-DFN2020-6 (Type B)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
12.7nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
443pF @ 10V
Potencia - Máx.：
820mW (Ta)
