DMP6018LPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMP6018LPS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13.7 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3505 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.6W (Ta), 113W (Tc)
