DSC02120D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC02120D1-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Current - Average Rectified (Io)：
2A
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Velocidad：
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
0 ns
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 175°C
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 2 A
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252 (Type WX)
Current - Reverse Leakage @ Vr：
128 µA @ 1200 V
Capacitancia @ Vr, F：
131pF @ 100mV, 1MHz
