DSC04A065D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC04A065D1-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Velocidad：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
650 V
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 175°C
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
4A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
170 µA @ 650 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252 (Type WX)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.5 V @ 4 A
Capacitancia @ Vr, F：
184pF @ 100mV, 1MHz
