ES1J
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
ES1J Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
Standard
Velocidad：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Paquete / Estuche：
DO-214AC, SMA
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.3 V @ 1 A
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
35 ns
Paquete de dispositivo del proveedor：
SMA
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
600 V
Capacitancia @ Vr, F：
20pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 600 V
