FES1GE
DIODE GEN PURP 400V 1A F1A
FES1GE Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
Standard
Velocidad：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 150°C
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
25 ns
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.25 V @ 1 A
Paquete / Estuche：
DO-219AA
Capacitancia @ Vr, F：
14pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivo del proveedor：
F1A (DO219AA)
