FES2DE-7
DIODE GEN PURP 200V 2A F1A T&R
FES2DE-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
Standard
Current - Average Rectified (Io)：
2A
Velocidad：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 150°C
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
25 ns
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
920 mV @ 2 A
Paquete / Estuche：
DO-219AA
Capacitancia @ Vr, F：
32pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivo del proveedor：
F1A (DO219AA)
