FUS1ME
DIODE GEN PURP 1KV 1A F1A
FUS1ME Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
Standard
Velocidad：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 150°C
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 1 A
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 1000 V
Capacitancia @ Vr, F：
10pF @ 4V, 1MHz
Paquete / Estuche：
DO-219AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
F1A (DO219AA)
