S1MSP1N-7
DIODE GP 1KV 1A POWERDI123
S1MSP1N-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
Standard
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 150°C
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
1000 V
Velocidad：
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr：
10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.1 V @ 1 A
Paquete / Estuche：
POWERDI®123
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI™ 123
Capacitancia @ Vr, F：
4pF @ 4V, 1MHz
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
1.2 µs
