BAS16HLPQ-7B
DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
BAS16HLPQ-7B Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Colis/Caisse：
0402 (1006 Metric)
Technologie：
Standard
Vitesse：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Qualification：
AEC-Q101
Tension - CC inverse (Vr) (Max)：
100 V
Température de fonctionnement - Jonction：
-65°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.25 V @ 150 mA
Temps de récupération inversée (trr)：
4 ns
Capacité @ Vr, F：
1.5pF @ 0V, 1MHz
Package d'appareil du fournisseur：
X1-DFN1006-2
Current - Average Rectified (Io)：
215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr：
500 nA @ 80 V
