DMN2014LHAB-13
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
DMN2014LHAB-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
6-UFDFN Exposed Pad
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
9A (Ta)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Puissance - Max：
800mW (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1550pF @ 10V
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2030-6 (Type B)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
13mOhm @ 4A, 4.5V
