DMN3032L-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
DMN3032L-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur：
SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
5.4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.1 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
481 pF @ 15 V
