DMT35M4LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT35M4LFVW-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
16.1 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
16A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
982 pF @ 15 V
