DMT6011LPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50
DMT6011LPDW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 10A, 10V
Tension drain-source (Vdss)：
60V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
22.2nC @ 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
10.3A (Ta), 40A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1072pF @ 30V
Puissance - Max：
2.5W (Ta), 37.9W (Tc)
