DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMT69M5LFVWQ-13 Specifications
Grade：
Automotive
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1406 pF @ 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
