DMTH6015LPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
DMTH6015LPDWQ-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss)：
60V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 10A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
14.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
825pF @ 30V
Puissance - Max：
2.6W (Ta), 39.5W (Tc)
