DSC06065D1
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
DSC06065D1 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)：
650 V
Vitesse：
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)：
0 ns
Température de fonctionnement - Jonction：
-55°C ~ 175°C
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
200 µA @ 650 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252 (Type WX)
Capacité @ Vr, F：
226pF @ 100mV, 1MHz
