DSC08C065D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC08C065D1-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Vitesse：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technologie：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)：
650 V
Température de fonctionnement - Jonction：
-55°C ~ 175°C
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
200 µA @ 650 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252 (Type WX)
Capacité @ Vr, F：
278pF @ 100mV, 1MHz
