DSC10120D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC10120D1-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse：
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)：
0 ns
Température de fonctionnement - Jonction：
-55°C ~ 175°C
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
10A
Tension - CC inverse (Vr) (Max)：
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 10 A
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252 (Type WX)
Current - Reverse Leakage @ Vr：
640 µA @ 1.2 kV
Capacité @ Vr, F：
608pF @ 100mV, 1MHz
