FES1JE

DIODE GEN PURP 600V 1A F1A T&R

FES1JE
Numéro de pièce :
FES1JE
Fabricant :
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Category:
Diodes simples
Description :
DIODE GEN PURP 600V 1A F1A T&R
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF PDF PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
0

FES1JE Specifications

Type de montage:
Surface Mount
Technologie:
Standard
Vitesse:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io):
1A
Température de fonctionnement - Jonction:
-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.3 V @ 1 A
Temps de récupération inversée (trr):
35 ns
Tension - CC inverse (Vr) (Max):
600 V
Capacité @ Vr, F:
20pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 600 V
Colis/Caisse:
DO-219AA
Package d'appareil du fournisseur:
F1A (DO219AA)

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