FUS1ME
DIODE GEN PURP 1KV 1A F1A
FUS1ME Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
Standard
Vitesse：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Température de fonctionnement - Jonction：
-55°C ~ 150°C
Tension - CC inverse (Vr) (Max)：
1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 1 A
Temps de récupération inversée (trr)：
75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 1000 V
Capacité @ Vr, F：
10pF @ 4V, 1MHz
Colis/Caisse：
DO-219AA
Package d'appareil du fournisseur：
F1A (DO219AA)
