ZXMN10A08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10A08E6QTA Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
SOT-23-6
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
6V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
SOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.7 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 3.2A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
405 pF @ 50 V
