1N4003
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4003 Specifications
取付タイプ：
Through Hole
テクノロジー：
Standard
パッケージ・ケース：
DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ：
DO-41
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
10 µA @ 200 V
動作温度 - ジャンクション：
-55°C ~ 125°C
スピード：
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1 V @ 1 A
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
200 V
静電容量 @ Vr、F：
10pF @ 4V, 1MHz
逆回復時間 (trr)：
5 µs
