BAS16HLPQ-7B
DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
BAS16HLPQ-7B Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
パッケージ・ケース：
0402 (1006 Metric)
テクノロジー：
Standard
スピード：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Qualification：
AEC-Q101
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
100 V
動作温度 - ジャンクション：
-65°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.25 V @ 150 mA
逆回復時間 (trr)：
4 ns
静電容量 @ Vr、F：
1.5pF @ 0V, 1MHz
サプライヤーデバイスパッケージ：
X1-DFN1006-2
Current - Average Rectified (Io)：
215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr：
500 nA @ 80 V
