DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN1003UFDE-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
22A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12 V
Vgs (最大)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 8 V
パッケージ・ケース：
6-PowerUDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3mOhm @ 15A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2551 pF @ 6 V
