DMN1019USNQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
DMN1019USNQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
パッケージ・ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12 V
Vgs (最大)：
±8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.2V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
800mV @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
SC-59-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9.3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2426 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
680mW (Ta)
