DMN10H170SFGQ-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMN10H170SFGQ-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.9 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
940mW (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
122mOhm @ 3.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
870.7 pF @ 25 V
