DMN2009UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2009UFDF-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±12V
パッケージ・ケース：
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.9 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1083 pF @ 10 V
