DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TSOT-26
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6.8A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
