DMN2710UFBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMN2710UFBQ-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)：
±6V
パッケージ・ケース：
3-UFDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
X1-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
42 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)：
720mW (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.3A (Ta)
