DMN29M9UFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMN29M9UFDF-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.8V, 4.5V
パッケージ・ケース：
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type F)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
11A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
655 pF @ 8 V
