DMN3032L-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMN3032L-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-23-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
5.4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.1 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
31mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
481 pF @ 15 V
