DMN3061SQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN3061SQ-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-23-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.3A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
770mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.5 nC @ 10 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
3.3V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
59mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
233 pF @ 15 V
