DMN30H4D1S-13
MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
DMN30H4D1S-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
300 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
430mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
360mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.8 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4Ohm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
174 pF @ 25 V
