DMN32D0LFB4-7B
MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
DMN32D0LFB4-7B Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
350mW (Ta)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
パッケージ・ケース：
3-XFDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
X2-DFN1006-3
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.2Ohm @ 100mA, 4V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
440mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.8V, 2.5V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
44.8 pF @ 15 V
