DMN52D0UVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
DMN52D0UVT-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
構成：
2 N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
50V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2Ohm @ 50mA, 5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
430mA (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
1.4nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
41pF @ 25V
パワー - 最大：
500µW (Ta)
