DMN62D4LFB-7B
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
DMN62D4LFB-7B Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2Ohm @ 500mA, 10V
パッケージ・ケース：
3-UFDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
X1-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.1 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
407mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
40 pF @ 30 V
