DMN65D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
DMN65D8LV-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
5V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
310mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
370mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
22 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.87 nC @ 10 V
