DMNH6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
DMNH6010SCTB-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263AB (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
10mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2692 pF @ 25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
133A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5W (Ta), 375W (Tc)
