DMP1012USSQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMP1012USSQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SO
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12 V
Vgs (最大)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.8V, 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
8.5A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1344 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
31 nC @ 8 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
13.5mOhm @ 9A, 4.5V
