DMP10H4D2SQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
DMP10H4D2SQ-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.8 nC @ 10 V
FETタイプ：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
パッケージ・ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
270mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4.2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
87 pF @ 25 V
