DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMP2016UFDF-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.5V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 8 V
パッケージ・ケース：
6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type F)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9.5A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
15mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1710 pF @ 10 V
