DMP2109UVTQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
DMP2109UVTQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
パッケージ・ケース：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TSOT-26
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.7A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 4.5 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
443 pF @ 10 V
