DMP2110UFDBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMP2110UFDBQ-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
パッケージ・ケース：
6-UDFN Exposed Pad
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.5A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 4.5 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type B)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
443 pF @ 10 V
